300 mm半导体厂含Cu废水处理工程应用

• 作者: 厉晓华 孟双双 王春冬
• 来源期刊: 环境科技
• 学科: 地球科学
• 关键词: 半导体 含Cu废水 破络 工程应用
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 污染防治
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: X7
• 字数: 2124字
• 语种: 中文

摘要

300 mm半导体厂含Cu废水的浓度和水量较200 mm半导体厂有明显的增加,而且越先进的制程工艺,其产生的含Cu废水处理的难度也越高.采用酵素-破络沉淀工艺处理含Cu废水,工程应用表明:在含Cu废水H2O2质量浓度为112~485 mg/L,总Cu质量浓度6~80 mg/L的条件下,经处理后出水H2O2质量浓度低于5 mg/L,总Cu质量浓度低于1 mg/L,去除率达到97%以上,总排口的总Cu质量浓度控制在0.5 mg/L以下,完全达到DB 31/374—2006《上海市半导体行业污染物排放标准》.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春冬		7	17	3.0	4.0
2	厉晓华		5	11	2.0	3.0
3	孟双双		1	2	1.0	1.0