基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计

• 作者: 叶竞波 孙向明 杨文伟 杨苹 潘彦君 董业民 黄光明 龚达涛
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘衬底上的硅(SOI) 激光驱动器 并联峰化 高速 低功耗
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 920-923
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 字数: 2032字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计.该芯片设计使用国产0.13 μm SOI CMOS工艺,能提供6～8 mA可调调制电流及4～7 mA可调偏置电流.驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽.测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5 Gbit/s,总功耗仅为48 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄光明	华中师范大学像素实验室	82	525	12.0	20.0
2	孙向明	华中师范大学像素实验室	10	10	2.0	2.0
3	杨苹	华中师范大学像素实验室	2	6	2.0	2.0
4	潘彦君	华中师范大学像素实验室	2	4	1.0	2.0
5	叶竞波	华中师范大学像素实验室	1	4	1.0	1.0
6	龚达涛	华中师范大学像素实验室	1	4	1.0	1.0
7	董业民	华中师范大学像素实验室	1	4	1.0	1.0
8	杨文伟	华中师范大学像素实验室	1	4	1.0	1.0