第一性原理对CdnSen (11≤n≤16)和Cd15Se16Ag纳米团簇电子性质研究

• 作者: 索凤怡
• 来源期刊: 哈尔滨商业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe Ag掺杂 密度泛函理论 结构和电子性质
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 444-449
• 页数: 6页
• 分类号: TB383
• 字数: 3678字
• 语种: 中文

摘要

由于自身电子性质的可协调性,镉硫族半导体尤其是掺杂的纳米半导体团簇吸引了广泛关注.采用密度泛函理论的方法对CdnSen (11≤n≤16) 和 Cd15Se16Ag稳定结构进行了模拟研究分析.考虑到Ag原子掺杂在Cd16Se16 纳米团簇中位置的不同,主要讨论了两种可能的掺杂位(S1, S2).基于此,详细地分析了Cd15Se16AgS1 和 Cd15Se16AgS2团簇的几何结构和电子性质.Ag原子的掺杂改变了其自身的对称群和大小,而Ag原子掺杂位置的不同也被重点关注.此外,详细分析了结合能、带隙、态密度和电荷密度分布.结果表明掺杂后引入了一个新的能级,该能级被称为受主能级.介于价带和导带间的受主能级电荷密度的贡献主要来自于Se原子的p轨道和Ag原子的d轨道.这些说明了Ag原子掺杂和掺杂位置是两个影响着团簇电子性质的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	索凤怡	天津工业大学理学院	2	0	0.0	0.0