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摘要:
文中设计、制备并表征了同质集成的可见光双工通信芯片.采用硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术,在硅衬底GaN晶圆上制备了同质集成悬空p-n结InGaN/GaN多量子阱二极管(Multiple-Quantum-Well Diode,MQW-diode)和悬空波导的光子芯片.利用悬空p-n结InGaN/GaN MQW-diode可以同时发光和光探测的物理特性,将两个InGaN/GaN MQW-diode同时作为收发端,发出的调制光耦合进悬空光波导进行传输,并最后被另一个收发端接收,叠加信号可以通过自干扰消除法进行提取处理,实现芯片内可见光双工通信.这种同质集成光源、光波导和光电探测器的可见光通信芯片为发展高速同频同时全双工可见光通信芯片奠定了器件基础.
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文献信息
篇名 同质集成光源、光波导和光电探测器的可见光双工通信芯片
来源期刊 南京邮电大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 同质集成 InGaN/GaN多量子阱二极管 双工可见光通信
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 约稿
研究方向 页码范围 37-42
页数 6页 分类号 TN929.1
字数 2635字 语种 中文
DOI 10.14132/j.cnki.1673-5439.2017.03.004
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研究主题发展历程
节点文献
同质集成
InGaN/GaN多量子阱二极管
双工可见光通信
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
南京邮电大学学报(自然科学版)
双月刊
1673-5439
32-1772/TN
大16开
南京市亚芳新城区文苑路9号
1960
chi
出版文献量(篇)
2234
总下载数(次)
13
总被引数(次)
14649
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