智能剥离制备GOI材料

• 作者: 李成 毛丹枫 汤丁亮 赖淑妹 陈松岩 黄巍
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 晶片键合 智能剥离 绝缘体上锗(GOI) 退 火 腐 蚀 半高宽
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 硅基纳电子和光电子专栏
• 页码范围: 441-449
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2017.03.009

摘要

绝缘体上锗(Germanium-on-Insulator,GOI)结合了Ge材料及SOI(Silicon-on-Insulator)结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结漏电流.首先研究不同表面处理方法对体Ge与SiO2/Si晶片键合强度的影响,实验结果显示采用N2等离子体活化处理结合氨水溶液(NH4OH∶H2O=1∶10)亲水性处理,所得到的体Ge与SiO2/Si晶片的键合效果较好,其键合强度>3.8 MPa.利用智能剥离技术(Smart-CutTM)制备了绝缘体上锗材料.SEM测试显示GOI材料键合质量良好,界面清晰平整,并且Ge层大部分面积无空洞.实验分析得到GOI材料的压应力及XRD(004)摇摆曲线中Ge峰的不对称是由GOI表面的注氢损伤层引起的.真空500 ℃退火30 min对于注入损伤层的应力具有释放作用,但无法修复注入损伤.用溶液(NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶10)腐蚀去除注入损伤层后,应力层被去除,并且获得Ge峰半高宽仅为70.4 arc sec的GOI材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
2	李成	厦门大学物理系	45	140	7.0	11.0
3	汤丁亮	厦门大学化学化工学院	15	176	6.0	13.0
4	黄巍	厦门大学物理系	11	9	2.0	2.0
5	赖淑妹		1	1	1.0	1.0
6	毛丹枫	厦门大学物理系	1	1	1.0	1.0