碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料

• 作者: 任建军 孙亚楠 杨阳 王华 石云波
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 掩膜图形化 选择比 刻蚀形貌
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 499-504
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.07.010

摘要

SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构.针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比.实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差.Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应.金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好.最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石云波	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	108	610	14.0	20.0
2	王华	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	16	34	3.0	4.0
3	孙亚楠	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	9	2.0	3.0
4	任建军	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0