InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性

• 作者: 宋志勇 康亭亭 张豫徽 林铁 田丰 陈平平
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锑化铟 磁阻效应 弱反局域化效应 界面/表面态
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 311-315
• 页数: 5页
• 分类号: O472|O484
• 字数: 4443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.03.011

摘要

在12 ～300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(oB2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(＜35 K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.