太阳能级多晶硅用三氯氢硅中金属杂质的检测方法

• 作者: 陈黎明
• 来源期刊: 上海计量测试
• 关键词: 多晶硅 三氯氢硅 金属杂质
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 48-49
• 页数: 2页
• 字数: 1499字
• 语种: 中文

摘要

在洁净室里,采用在氩气保护下进行高纯三氯氢硅的挥发,然后用高纯酸溶解,用高分辨电感耦合等离子体质谱仪检测痕量金属杂质,方法的检出限为0.45~14.6 ng/kg,加标法回收率为89.6%~108.2%.前处理简单、快速,避免了在样品前处理时的污染问题,检测结果准确可靠.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈黎明		25	84	6.0	8.0