TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善

• 作者: 尚建兴 张大伟 张学智 张鹏曲 李森 王威 田露 肖红玺 郝金刚 黄东升
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: TDDI LeadOpen 电偶腐蚀 电化学 Mo-Al-Mo
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 847-852
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 2288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173211.0847

摘要

为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证.对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证.首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系.接着,对SD膜层的微观结构进行了表征.然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型.分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47 V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10 nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4 nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀.表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求.