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摘要:
随着以GaN为代表的宽禁带半导体材料的发展,高功率密度电子元器件在军用电子装备上得到更为广泛的应用.军用电子装备的功率密度越来越大,对散热技术的要求也越来越高.文章针对某高热流密度T/R组件,通过传热路径热阻特性分析,得出芯片封装盒体材料性能对传热路径热阻有很大影响,综合采用金刚石/铜高导热封装盒体材料,亚毫米尺度微通道冷板强化传热技术,解决了热流密度为463W/cm2芯片的散热问题,为高热流密度芯片散热提供一种新思路.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 某高热流密度芯片散热设计与分析
来源期刊 电子技术 学科
关键词 高热流密度 金刚石/铜 热设计 集成冷板
年,卷(期) 2017,(8) 所属期刊栏目 电子技术设计与应用
研究方向 页码范围 66-69
页数 4页 分类号
字数 2836字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0755.2017.08.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶锐 9 10 2.0 2.0
2 张根烜 23 99 6.0 9.0
3 关宏山 12 59 5.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
高热流密度
金刚石/铜
热设计
集成冷板
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子技术
月刊
1000-0755
31-1323/TN
大16开
上海市长宁区泉口路274号
4-141
1963
chi
出版文献量(篇)
5480
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22245
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