不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究

• 作者: 卢贵武 吕媛媛 张鹏 李佳 韩旭辉 黄文奇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗 第一性原理 应变 光学性质
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 702-708
• 页数: 7页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 4386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173806.0702

摘要

研究了不同方向、不同强度的应变对Ge光学性质的影响.结果表明,Ge在单轴张应变和双轴张应变的调控下,均可由间接带隙转向直接带隙,其中,单轴应变有更低的转变点.Ge在常用波段处(0.4 eV)的介电函数实部和虚部在张应变作用下,均急速上升而后在一定应变范围内下降.对Ge进行[111]单轴应变调控能表现出更好的光学性能以及更便捷的器件设计(较低的应变量).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄文奇	北京信息科技大学理学院	23	38	3.0	5.0