Ge掺杂对InI导电性能影响的第一性原理研究?

• 作者: 张文秀 张欣 张磊 徐朝鹏 王倩 王永贞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ge高掺杂InI 电阻率 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237101-1-237101-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.237101

摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下对不同浓度Ge掺杂的InI导电性能进行了研究.建立了由不同浓度的Ge原子替代In原子的In1?xGexI (x=0,0.125,0.25)模型.对低温下高掺杂Ge原子的In1?xGexI半导体的优化参数、总态密度、能带结构进行了计算.结果表明： Ge的掺入使In1?xGexI材料的体积减小,总能量升高,稳定性降低；Ge原子浓度越大,进入导带的相对电子数量越多, In1?xGexI电子迁移率减小,电阻率增大,同时最小光学带隙也增大,有利于改善体系的核探测性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐朝鹏	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	17	56	5.0	7.0
2	张欣	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	8	38	5.0	6.0
3	王倩	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	18	42	5.0	5.0
4	王永贞	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	4	13	2.0	3.0
5	张文秀	燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室	3	7	1.0	2.0