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高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究
高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究
作者:
张发培
李田
汤国强
潘国兴
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
半导体聚合物
分子取向
溶液浸涂法
有机场效应晶体管
摘要:
有效地控制有机半导体分子取向和堆积特性对实现高性能电子器件具有非常重要的意义,而发展简便高效的溶液相成膜技术是实现这一目的的重要途径.本文采用改进的溶液浸涂法,成功地成长出大面积宏观取向的半导体聚合物P(NDI2OD-T2和PTHBDTP薄膜.偏光显微镜和极化的紫外-可见光吸收谱测量显示,薄膜中聚合物分子主链骨架沿成膜时液面下移方向择优取向.原子力显微镜观察到聚合物薄膜由纳米尺度的取向有序晶畴构成,畴的取向与分子链的取向一致.采用衬底-溶液界面处表面张力和溶剂蒸发诱导的分子自组织过程来解释浸涂法生长聚合物取向薄膜的微观机理.使用取向的P(NDI2OD-T2薄膜制备场效应晶体管,显著地提高了电子迁移率(可达4倍),并实现高达19的迁移率各向异性度.这可归因于共轭的聚合物主链骨架择优取向引起电荷传导通路的变化.
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文献信息
篇名
高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究
来源期刊
物理学报
学科
关键词
半导体聚合物
分子取向
溶液浸涂法
有机场效应晶体管
年,卷(期)
2017,(15)
所属期刊栏目
凝聚物质:结构、力学和热学性质
研究方向
页码范围
245-254
页数
10页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.66.156801
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张发培
中国科学院强磁场科学中心
8
8
1.0
2.0
5
李田
中国科学院强磁场科学中心
3
1
1.0
1.0
9
潘国兴
中国科学院强磁场科学中心
2
1
1.0
1.0
13
汤国强
中国科学院强磁场科学中心
1
1
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2017(1)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2017(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体聚合物
分子取向
溶液浸涂法
有机场效应晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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