多物理场下多因素交互的TTSV正交试验分析

• 作者: 管祥生 赵健 赵松杰 陈洁坤
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: TTSV 温度场 应力场 正交试验
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 28-32,37
• 页数: 6页
• 分类号: TN41
• 语种: 中文

摘要

该文研究了TTSV间隙布置方法下三维集成电路的温度场与应力场.应用正交试验设计的方法,对电路的温度场与应力场进行仿真,并通过方差数值分析,客观地对TTSV的多个因素进行单独分析和多因素交互分析.从而能在电路芯片的物理设计阶段,通过优化参数数值,使芯片的温度与应力值显著下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈洁坤		3	8	1.0	2.0
2	管祥生		3	8	1.0	2.0
3	赵松杰		3	1	1.0	1.0
4	赵健		2	1	1.0	1.0