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摘要:
GaN HEMT器件在高频和大功率通信领域有着广泛的应用.在流片制造过程中,手动微波测试已不能满足器件性能监控的要求.本文在改进传统手动测试的基础上,介绍了一种基于Agilent VEE语言来实现器件微波小信号自动测试系统的方法.该系统解决了器件自动测试、等效电路参数计算和数据存储等问题,实现了整个测试过程自动化,大幅提升了测试效率.
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文献信息
篇名 GaN HEMT小信号自动测试系统设计
来源期刊 数字技术与应用 学科 工学
关键词 Agilent VEE 微波小信号测试 等效电路参数 自动测试系统
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 设计开发
研究方向 页码范围 194-195,201
页数 3页 分类号 TP202
字数 1490字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 崔玉兴 中国电子科技集团公司第十三研究所 30 88 6.0 8.0
2 张力江 中国电子科技集团公司第十三研究所 13 32 3.0 5.0
3 马杰 中国电子科技集团公司第十三研究所 6 23 3.0 4.0
4 付兴中 中国电子科技集团公司第十三研究所 7 10 2.0 3.0
5 杨志虎 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
Agilent VEE
微波小信号测试
等效电路参数
自动测试系统
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
数字技术与应用
月刊
1007-9416
12-1369/TN
16开
天津市
6-251
1983
chi
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20434
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