硅纳米线的制备及其光电性能

• 作者: 刘展鹏 刘彩云 夏宏拓 张平 张麒麟
• 来源期刊: 广州化工
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅线 光电性能 光电化学分解水
• 年，卷（期）: 2017,（14）
• 所属期刊栏目: 科学实验
• 页码范围: 61-63,72
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4522字
• 语种: 中文

摘要

采用金属辅助化学刻蚀的方法制备了作为光电阴极的纳米硅线,探索了纳米硅线的最佳生长条件.SEM表明所制备的纳米硅线具有典型的纳米阵列结构,反射率测试表明其可见光反射率在2%以下.纳米硅线光电阴极的光电化学分解水测试结果表明,由于所制备的硅纳米线阵列对光生载流子的产生和分离能力的提高,以及纳米结构带来的能带变化和电极/电解液界面处能带的改变,可见光下电解水时外加电压的开启电势正移了145 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张平	湘潭大学土木工程与力学学院	141	1122	18.0	27.0
2	刘展鹏	湘潭大学环境友好与应用教育部重点实验室	26	138	7.0	10.0
6	夏宏拓	湘潭大学环境友好与应用教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
7	张麒麟	湘潭大学环境友好与应用教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
8	刘彩云	湘潭大学环境友好与应用教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0