正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展

• 作者: 宋力刚 张仁刚 曹兴忠 王宝义 靳硕学 魏龙
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 正电子湮没谱学 半导体材料 电子(动量、密度)分布 微观结构
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 25-38
• 页数: 14页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.027801

摘要

正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
2	魏龙	中国科学院高能物理研究所	50	325	10.0	16.0
3	曹兴忠	中国科学院高能物理研究所	19	31	3.0	4.0
4	张仁刚	武汉科技大学理学院	8	17	3.0	3.0
5	靳硕学	中国科学院高能物理研究所	3	4	1.0	2.0
6	宋力刚	中国科学院高能物理研究所	2	3	1.0	1.0