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摘要:
相变存储器(PCM)是一种新型的非易失性存储器(NVM),与传统内存DRAM互有优势.基于DRAM和PCM的混合内存使得同时发挥DRAM与PCM各自的优势成为可能.然而,由于PCM写操作寿命有限,在设计混合内存的管理策略时,不仅要对混合内存体系结构进行设计,还需要设计一种损耗均衡算法对PCM写操作进行负载均衡优化.文中设计了一种损耗均衡算法,将写操作逻辑地址作为输入,使用BKDRHash函数对地址进行映射,实现PCM的损耗均衡.实验结果表明,文中提出的损耗均衡算法能够以很少的时延与功耗损失大幅提升PCM的使用寿命.
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文献信息
篇名 基于BKDRHash的混合内存损耗均衡算法研究
来源期刊 微型机与应用 学科 工学
关键词 PCM DRAM 损耗均衡 BKDRHash函数
年,卷(期) 2017,(11) 所属期刊栏目 软件与算法
研究方向 页码范围 15-18,22
页数 5页 分类号 TP391.4
字数 4303字 语种 中文
DOI 10.19358/j.issn.1674-7720.2017.11.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈卫卫 解放军理工大学指挥信息系统学院 38 418 13.0 19.0
2 吴炀 解放军理工大学指挥信息系统学院 1 1 1.0 1.0
3 付印金 解放军理工大学指挥信息系统学院 4 25 2.0 4.0
4 仇小锋 解放军理工大学指挥信息系统学院 13 67 5.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
PCM
DRAM
损耗均衡
BKDRHash函数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术与网络安全
月刊
2096-5133
10-1543/TP
大16开
北京市海淀区清华东路25号(北京927信箱)
82-417
1982
chi
出版文献量(篇)
10909
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33
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