类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征

• 作者: 仝广运 李天保 樊腾 翟光美 许并社 贾伟 赵晨 马淑芳
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 类金字塔状GaN微米结构 金属有机化学气相沉积 原位生长SiNx掩模层 三维GaN基LED器件
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: O782+.9
• 字数: 2869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.022.005

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响.研究结果表明,在生长温度为1075℃时,所生长的GaN呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×103 cm-2降低至0.8×103 cm-2;压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决定该结构顶部的微观形貌(锥状或截顶锥状).本工作的研究结果为GaN微钠米结构的原位可控生长奠定了一定基础,并有助于三维GaN基L ED器件的进一步发展.