碳化硅IMPATT和MITATT太赫兹二极管的小信号模拟

• 作者: 何明昌 李昌 李理敏 肖海林 郑君鼎 韦文生
• 来源期刊: 温州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 碰撞雪崩渡越时间二极管 混合隧穿雪崩渡越时间二极管 小信号模拟
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 40-48
• 页数: 9页
• 分类号: TN312+.7
• 字数: 4403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3875/j.issn.1674-3563.2018.01.008

摘要

碳化硅(SiC)具有带隙宽、载流子饱和漂移速度快、临界击穿场强高、热导率高等优良性能,适用于太赫兹渡越时间功率器件.采用数值模拟方法,计算了不同碳化硅(4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC)N+NPP+型碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)和混合隧穿雪崩渡越时间(MITATT)二极管的小信号性能参数.对比了不同器件内部的电场分布、归一化电流分布、电阻分布、导纳-频率关系、单位带宽均方噪声电压和噪声测度的差异.所得结果可为相关器件制造提供指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何明昌	温州大学数理与电子信息工程学院	41	45	4.0	5.0
2	韦文生	温州大学数理与电子信息工程学院	17	44	4.0	6.0
3	李昌	温州大学数理与电子信息工程学院	13	34	4.0	5.0
4	李理敏	温州大学数理与电子信息工程学院	8	18	3.0	4.0
5	肖海林	温州大学数理与电子信息工程学院	9	9	2.0	2.0
6	郑君鼎	温州大学数理与电子信息工程学院	2	0	0.0	0.0