任意通光方向与加电压方向铌酸锂晶体的泡克尔斯效应

• 作者: 刘岚岚 吴重庆 延云涛 王健 黄泽铗
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 泡克尔斯效应 介电张量 电光系数 二阶非线性极化系数 铌酸锂晶体
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 33-41
• 页数: 9页
• 分类号: O436.4
• 语种: 中文

摘要

直接从二阶非线性极化出发,得到了任意方向通光的铌酸锂晶体的横向介电张量矩阵,不仅证明了二阶非线性极化系数更能准确地反映泡克尔斯效应的物理本质,而且得出无论从哪个方向通光,偏振态只能在垂直于赤道平面与邦加球的交线上旋转,而不能沿赤道旋转.然后针对铌酸锂晶体具体不同的通光方向与加压方向利用四元数的方法进行探讨,得出只有在z方向通光,x或y方向加电场时晶体的偏振旋转轴不会受到自然双折射的影响,同时分析了输入偏振态对电光效应的影响.最后进行了铌酸锂晶体电光效应的实验,证实了上述理论分析的正确性.该理论分析与实验为光学传感器及其他应用提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴重庆	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光信息科学与技术研究所	116	592	12.0	19.0
2	王健	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光信息科学与技术研究所	70	327	9.0	16.0
3	黄泽铗	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光信息科学与技术研究所	3	2	1.0	1.0
4	刘岚岚	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光信息科学与技术研究所	14	32	3.0	5.0
5	延云涛	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光信息科学与技术研究所	1	2	1.0	1.0