高增益S波段小型化200W功率模块研制技术

• 作者: 倪涛 吴景峰 李晶 王毅 赵夕彬
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 功率放大模块 高压脉冲调制技术 小型化 阻抗匹配
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 2801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201801.0135

摘要

采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了 S 波段高增益小型化200 W功率模块的研制.驱动放大电路采用 GaAs功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5 μm) GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm GaN芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的 S波段200 W内匹配 GaN功率模块.测试得出该模块实现了在输入功率10 dBm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%.模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王毅	中国电子科技集团公司第十三研究所	35	35	3.0	5.0
2	吴景峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	105	5.0	9.0
3	倪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	18	2.0	4.0
4	赵夕彬	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	40	3.0	6.0
5	李晶	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	50	4.0	5.0