基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 李秀军 李胜
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 表面势模型 碳化硅基 VDMOS 阈值电压偏移 界面态
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 13-18
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2018.01.003

摘要

为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VD-MOS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDMOS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累区、寄生结型场效应晶体管(JFET)区及N-外延层建立电流模型,还考虑了界面态对于阈值电压偏移与沟道迁移率的影响.动态部分中引入了界面陷阱对于电容的影响,完善了基于端电荷划分理论的动态模型.结果表明,所提器件模型的输出特性和转移特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差均小于5%,开关特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差小于10%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	李秀军	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	3	1.0	1.0
4	李胜	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	3	1.0	1.0