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基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
作者:
徐如祥
敦涛
曹贵川
林祖伦
王小菊
祁康成
马祥云
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ANSYS
钎焊
等效应力
场发射阵列阴极
钼
摘要:
该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证.仿真结果表明,当钎焊温度为850 ℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23 ℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的增加而迅速减小;在降温过程中,高温区逐渐向硅基底扩展,温度沿焊缝方向呈对称分布,焊缝中心温度高,两边温度低.测试结果表明,钎焊接头组织致密,焊缝结合良好,没有裂纹和空洞等缺陷,且钎料对硅基底的影响很小.这是一种可行的、低成本的实现硅基场发射阵列阴极焊接的有效方法.
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文献信息
篇名
基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
来源期刊
电子科技大学学报
学科
工学
关键词
ANSYS
钎焊
等效应力
场发射阵列阴极
钼
年,卷(期)
2018,(1)
所属期刊栏目
电子信息材料与器件
研究方向
页码范围
157-160
页数
4页
分类号
TG404
字数
2215字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-0548.2018.01.024
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
祁康成
电子科技大学光电信息学院
65
340
10.0
14.0
2
林祖伦
电子科技大学光电信息学院
76
442
10.0
15.0
3
王小菊
43
141
9.0
9.0
5
曹贵川
电子科技大学光电信息学院
22
97
5.0
9.0
6
徐如祥
89
590
10.0
20.0
7
敦涛
电子科技大学光电信息学院
4
4
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马祥云
电子科技大学光电信息学院
1
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参考文献(5)
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参考文献(1)
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2018(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
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2019(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
ANSYS
钎焊
等效应力
场发射阵列阴极
钼
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技大学学报
主办单位:
电子科技大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-0548
CN:
51-1207/T
开本:
大16开
出版地:
成都市成华区建设北路二段四号
邮发代号:
62-34
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
4185
总下载数(次)
13
总被引数(次)
36111
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