无箔二极管参数对电子束包络的影响

• 作者: 叶虎 吴平 孙钧 宋志敏 张广帅
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率微波 无箔二极管 相对论电子束 低磁场 电子束包络
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 带电粒子束、等离子体和加速器
• 页码范围: 41-47,82
• 页数: 8页
• 分类号: O532
• 字数: 3339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.020402

摘要

针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6 T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响.结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小.通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋志敏		35	194	8.0	12.0
2	吴平		8	20	4.0	4.0
3	孙钧		21	88	5.0	8.0
4	张广帅		1	0	0.0	0.0
5	叶虎		1	0	0.0	0.0