VoLTE MOS值提升方案探讨

• 作者: 黎建波
• 来源期刊: 移动通信
• 学科: 工学
• 关键词: VoLTE RoHC TTI bundling RLC分片
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 网规网优
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TP391.4
• 字数: 2585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-1010.2018.09.011

摘要

为了提高语音通信的MOS值,VoLTE可以选择性开启RoHC、TTI bundling、RLC分片三种语音增强技术.介绍了这三种技术的技术原理,通过测试分析这三种技术对语音质量的影响.测试结果表明:RoHC对MOS值的提升有限,TTI bundling和RLC分片对语音质量的改善明显,建议根据网络实际情况选择性开启相关功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎建波		11	88	4.0	9.0