LaAlO3/GaAs异质结界面的空穴导电行为分析

• 作者: 廖锡龙 杨云龙 毛田田 熊昌民 王登京 荔静
• 来源期刊: 武汉科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: LaAlO3 GaAs 异质结界面 空穴导电 电输运
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 429-433
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 字数: 2761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3644.2018.06.005

摘要

采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO 3薄膜构成LaAlO 3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO 3/GaAs异质结进行表征,并通过PPMS对LaAlO 3/GaAs异质结进行面内电阻和霍尔电阻测试,研究其界面电输运性能.结果表明,LaAlO 3在GaAs表面生长均匀,LaAlO 3/GaAs异质结界面处存在空穴型的导电行为,且该空穴来源于界面处的悬空键效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛田田	武汉科技大学理学院	2	1	1.0	1.0
2	廖锡龙	武汉科技大学理学院	2	1	1.0	1.0
3	杨云龙	武汉科技大学理学院	3	1	1.0	1.0
4	荔静	武汉科技大学理学院	1	0	0.0	0.0
5	熊昌民	北京师范大学物理学系	5	2	1.0	1.0
6	王登京	武汉科技大学理学院	5	4	1.0	1.0