高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究

• 作者: 于涛 刘治国 夏奕东 游彪 王东生 胡安
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极电介质材料 高介电常数 LaAlO3薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 229-232
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.038

摘要

在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min 650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压士1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能.C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于涛	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	59	612	12.0	24.0
2	胡安	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	13	46	2.0	6.0
3	刘治国	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	18	114	4.0	10.0
4	王东生	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	2	23	1.0	2.0
5	游彪	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	3	42	2.0	3.0
6	夏奕东	南京大学固体微结构物理国家重点实验室	1	22	1.0	1.0