无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制

• 作者: 刘玉岭 季军 张文倩 杜义琛 牛新环 王辰伟 韩丽楠
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 钴 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.01.010

摘要

利用不合氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理.实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5％时钴的去除速率为20～30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度.在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性.