垂直磁化纳米线中不同对称刻痕对磁畴壁振荡行为的影响

• 作者: 卢志红 方成 李玉婷 甘章华 程明 陈昌威
• 来源期刊: 武汉科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米线 微磁模拟 垂直磁化 磁畴壁 振荡 刻痕
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 105-109
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O482
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-3644.2018.02.005

摘要

借助微磁模拟软件(OOMMF),利用具有不同对称刻痕的垂直磁化纳米线模型研究了CoPtCr合金在电流驱动下的磁畴壁振荡行为,重点分析了振荡区间、振荡频率、振荡振幅等参数与不同对称刻痕的关系.研究结果表明,振荡区间可以通过刻痕深度和刻痕形状进行调节;振荡频率随着电流增大呈线性增大且与刻痕形状关系不大,当刻痕达到一定深度后振荡频率会保持稳定不变;在相同模拟计算条件下,三角形对称刻痕对应的振荡振幅最大,圆弧形对称刻痕相应值次之,矩形对称刻痕相应值最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程明	武汉科技大学材料与冶金学院	26	195	8.0	13.0
2	甘章华	武汉科技大学材料与冶金学院	35	127	5.0	10.0
3	卢志红	武汉科技大学材料与冶金学院	18	3	1.0	1.0
4	李玉婷	武汉科技大学材料与冶金学院	2	0	0.0	0.0
5	陈昌威	武汉科技大学材料与冶金学院	3	0	0.0	0.0
6	方成	武汉科技大学材料与冶金学院	3	1	1.0	1.0