一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型

• 作者: 张兴 曹健 曹鑫 王源 王艺泽
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 瞬态功率模型 栅氧击穿 人体静电冲击模型
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 946-950
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 2349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2018.044

摘要

提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model,HBM)应力的瞬态功率模型.利用HSPICE仿真软件,模拟MOS管遭受的HBM应力,得到对应的等效直流电压.HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明,两者保持线性关系,并通过拉普拉斯变化得到证明.与现有的瞬态功率模型相比,改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度,可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生,给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴	北京大学软件与微电子学院	120	618	12.0	20.0
5	王源	北京大学微电子学研究院	20	87	5.0	9.0
6	曹健	北京大学软件与微电子学院	10	29	3.0	5.0
7	曹鑫	北京大学软件与微电子学院	1	0	0.0	0.0
8	王艺泽	北京大学微电子学研究院	1	0	0.0	0.0