HL-2M装置中性束离子源束光学红外成像实验研究

• 作者: 何峰 刘鹤 周博文 周红霞 曹建勇 杨宪福 潘春花 罗怀宇 邹桂清 魏会领
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: HL-2M装置 中性束注入离子源 导流系数 红外热像仪
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 核聚变工程技术
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TL62+2
• 字数: 3117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16568/j.0254-6086.201801007

摘要

为了研究HL-2M装置中性束注入(NBI)加热用的80kV/45A/5s热阴极离子源束光学特性,采用红外电荷耦合元件(CCD)成像技术,测量离子源引出粒子束轰击量热靶板产生的温度分布,得到束功率密度空间分布区间特征参数1/e半宽度.在NBI热阴极离子源调试平台上,扫描离子源的放电和引出参数,利用CCD红外热像仪获得了对应参数下量热靶上的束功率密度分布.实验结果表明,HL-2M装置NBI加热系统80kV/45A离子源可用的导流系数范围为0.7~1.5 μP.同样导流系数下,梯度电极与等离子体电极的分压比较高时,引出束流的半宽度较小.