测量离子束横向截面的闪烁体屏的热分析

• 作者: 李嘉辉 杨振 王小胡 章林文 龙继东
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束 束流截面 闪烁体 热效应
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: TL81
• 字数: 2844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201830.180054

摘要

针对基于闪烁屏-CCD(电荷耦合元件)相机的氘离子束横向强度分布测量系统,利用ANSYS软件模拟计算了在直流及脉冲模式下,能量100 keV、束斑直径3 mm氘离子轰击造成的Al2 O3,SiO2以及锗酸铋(BGO)三种候选闪烁体材料的表面温度变化.结果表明,在30μA的直流氘离子束轰击下,闪烁体表面温度随辐照时间急剧地升高.持续时间10 min的氘离子束轰击将使三种材料前表面的温度分别升高131,234和649℃.对于峰值流强30μA、重复频率1 Hz、脉宽5μs的重复频率脉冲氘离子束,每个脉冲引起的三种闪烁屏表面的温度升高均小于0.05℃,且长时间的离子辐照基本不会造成闪烁屏的表面温度有明显的升高.对于脉宽5μs的单脉冲氘离子束,三种材料的表面温度均随离子流强近似呈线性地增加.在单脉冲模式下,Al2 O3,SiO2以及BGO闪烁屏能允许的最高离子流强分别为2.32,1.08和0.72 A,超过此流强其表面温度将达到熔点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小胡	西南科技大学国防科技学院	12	19	3.0	4.0
5	章林文	中国工程物理研究院流体物理研究所	72	415	12.0	16.0
6	杨振	中国工程物理研究院流体物理研究所	12	17	2.0	3.0
7	龙继东	中国工程物理研究院流体物理研究所	29	44	4.0	5.0
8	李嘉辉	西南科技大学国防科技学院	2	0	0.0	0.0