栅极低电压对关断瞬态的影响

• 作者: 孙铭泽 李乐乐 李建成 王洪利
• 来源期刊: 电气技术
• 关键词: SiC MOSFET 栅极低电压 过冲电压 功耗
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 10-14,21
• 页数: 6页
• 字数: 3175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3800.2018.11.008

摘要

随着开关频率的提高,寄生电感对碳化硅(SiC) MOSFET的影响越来越明显,所引起的器件串扰和器件应力,严重制约了SiC MOSFET器件在高频下的应用.在实际设计驱动电路中,为了抑制器件的串扰,栅极低电压多选在-5～0V之间的数值,然而却忽略了栅极低电压对器件应力的影响.在此本文通过理论和仿真分析,研究了寄生电感存在时,不同栅极低电压下的过冲电压和关断瞬间的功耗,从而在设计SiC MOSFET驱动电路时,指导栅极低电压的选取.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建成	国防科技大学电子科学与工程学院	19	157	7.0	12.0
2	孙铭泽	湘潭大学物理与光电工程学院	3	3	1.0	1.0
3	李乐乐	湘潭大学物理与光电工程学院	2	3	1.0	1.0
4	王洪利	湘潭大学物理与光电工程学院	2	0	0.0	0.0