生物形态SiC陶瓷上纳米线的制备及形貌演化

• 作者: 刘江南 姜凤阳 王俊勃 贺辛亥
• 来源期刊: 西安工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 生物形态 SiC陶瓷 纳米线 生长机制 SiO2
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 46-51
• 页数: 6页
• 分类号: TG113.12
• 字数: 2708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16185/j.jxatu.edu.cn.2018.01.008

摘要

为了研究生物形态SiC陶瓷上纳米线的形成及影响因素,揭示其形貌演化过程及生长机制.通过控制遗态转化温度和氧含量制备不同纳米线修饰的生物形态SiC陶瓷,采用扫描电子显微镜和透射电镜表征陶瓷上纳米材料的微观结构.结果表明:生物形态SiC陶瓷上制备的纳米线主要为SiC和SiO2,并受温度及 SiO 饱和分压变化的影响,微量氧在纳米材料生长过程起关键作用.随合成温度升高,生物形态陶瓷上的纳米线的尺寸逐渐变大,纳米线的形貌依次为项链状、绒毛状、直棒状以及高温下的柱状晶须结构.SiO2纳米线和无圆形尖端的 SiC纳米线的生长方式均为气固机制,SiO2纳米线的生长过程为化学气相反应沉积过程,而 SiC纳米线的生长则需要孪晶及堆垛层错提供驱动力辅助生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺辛亥	西安工程大学机电学院	94	315	9.0	12.0
2	王俊勃	西安工程大学机电学院	136	836	15.0	21.0
3	刘江南	西北工业大学材料学院	7	60	4.0	7.0
7	姜凤阳	西北工业大学材料学院	9	32	4.0	5.0