基于增强型GaN HEMT的48V转1V负载点电源模块设计

• 作者: 何宁业 周德金 胡一波 胡文新 许媛 陈珍海 黄伟
• 来源期刊: 电子元器件与信息技术
• 关键词: 增强型 GaN HEMT 驱动电路 负载点 电源模块
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 信息技术
• 页码范围: 1-3,10
• 页数: 4页
• 字数: 2258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-4455.2018.11.001

摘要

为进一步提高现有功率变换系统的开关频率,本文基于增强型GaN HEMT器件,设计了一种48V转1V高频负载点开关电源模块电路.该负载点电源采用倍流整流半桥结构和新型栅驱动电路,实现增强型GaN HEMT器件的高速控制,进而实现开关速度的提升.测试结果表明:该负载点电源电路的开关频率超过600KHz,对于10A的驱动电流建立时间为600ns,验证了设计的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许媛	黄山学院信息工程学院	18	35	3.0	5.0
2	陈珍海	黄山学院信息工程学院	14	33	4.0	5.0
3	何宁业	黄山学院信息工程学院	11	9	2.0	2.0
4	黄伟		1	1	1.0	1.0
8	周德金	黄山学院信息工程学院	1	1	1.0	1.0
9	胡一波		1	1	1.0	1.0
10	胡文新		2	1	1.0	1.0