MPCVD中双基片台结构对单晶金刚石生长的影响

• 作者: 夏禹豪 李方辉 李艳春 耿传文 马志斌
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 发射光谱 Raman位移 表面形貌 功率密度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164
• 字数: 3819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2018.3.0001

摘要

在波导耦合的微波等离子体化学气相沉积制备金刚石的装置中引入双基片台结构,用光谱仪测量等离子体的发射光谱,用Raman光谱仪和SEM分析生长的单晶金刚石的Raman位移和表面形貌,对比研究双基片台结构对等离子体发射光谱和单晶金刚石生长的影响.研究表明:双基片台结构可以提高等离子体的功率密度.在相同的沉积参数下,双基片台结构有利于提高等离子体发射光谱的强度,从而显著提高单晶金刚石的生长速率,最快可达到24 μm/h.生长的单晶金刚石具有金刚石Raman特征峰的偏移度更小,Raman特征峰的半高宽更窄,非金刚石相含量更少的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马志斌	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	58	189	7.0	10.0
2	耿传文	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	6	7	1.0	1.0
3	夏禹豪	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	5	5	1.0	1.0
4	李艳春	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	李方辉	武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	2	1.0	1.0