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摘要:
采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In2S3沉积到TiO2纳米管表面,制备In2S3/TiO2纳米复合材料.利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材料的形貌和结构进行表征,并通过荧光光谱仪以及光电信号对不同沉积圈数的In2S3/TiO2纳米复合材料的光电性能进行测试.结果表明,制备的In2S3纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管上,并且不会堵塞纳米管的管孔.沉积不同圈数的In2S3/TiO2纳米复合材料表现出不同的光电化学性质.
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文献信息
篇名 三维In2S3/TiO2纳米复合材料的制备及光电性能
来源期刊 电镀与精饰 学科 化学
关键词 TiO2纳米管 In2S3 SILAR法 钛网 光电性能
年,卷(期) 2018,(8) 所属期刊栏目 论文
研究方向 页码范围 1-5
页数 5页 分类号 O646
字数 3023字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-3849.2018.08.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李玥 河南工程学院材料与化学工程学院 19 25 2.0 4.0
2 张恒飞 河南工程学院材料与化学工程学院 5 9 1.0 3.0
3 邵浦华 河南工程学院材料与化学工程学院 4 3 1.0 1.0
4 尹萍萍 河南工程学院材料与化学工程学院 2 1 1.0 1.0
5 陈娇 河南工程学院材料与化学工程学院 1 1 1.0 1.0
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