化学腐蚀法制备的光纤Fabry-Perot位移传感器

• 作者: 上官春梅 何巍 张雯 祝连庆 骆飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 化学腐蚀 氢氟酸 Fabry-Perot 优化 位移传感器
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 170-173
• 页数: 4页
• 分类号: TN253
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.02.005

摘要

提出了一种采用化学腐蚀方法制备光纤Fabry-Perot(F-P)位移传感器的方法.采用浓度为40％的氢氟酸溶液腐蚀处理单模光纤端面,通过电弧放电对光纤端面进行熔接,制作光纤F-P传感器,并通过改变传感腔尾纤的粗糙度对其进行优化.实验中,将制备好的F-P腔结构的尾纤端面做未切平和切平处理,得到的条纹对比度分别为16和8dB.分别对两种情况的光纤F-P传感器的位移特性进行了实验和分析,结果表明:采用化学腐蚀法制作的光纤F-P传感器对位移具有良好的灵敏度和线性拟合优度,尾纤端未切平的F-P的线性拟合优度更好,测量精确度更高,灵敏度可达到0.0100nm/μm,线性拟合优度为0.9993.