碱刻蚀制备金字塔条件对多晶黑硅性能的影响

• 作者: 周存胜 张琳萍 徐红 毛志平 王碧佳 钟毅 陈支泽 隋晓锋
• 来源期刊: 化工技术与开发
• 学科: 工学
• 关键词: 碱刻蚀 多晶黑硅 失重率 反射率
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.41|TN304.1
• 字数: 3862字
• 语种: 中文

摘要

讨论了不同条件下多晶硅片的表面碱刻蚀工艺,并通过失重率、扫描电镜、紫外可见近红外光谱仪,对刻蚀后的多晶硅片以及后续制备的多晶黑硅进行系统的表征.研究结果表明,多晶硅表面碱刻蚀的最佳工艺为:刻蚀时间240s,刻蚀温度80℃,氢氧化钾溶液浓度67.2g·L-1,碱刻蚀添加剂A为5mL·L-1.采用该工艺处理后,硅片的平均失重率为2.737％,表面金字塔颗粒分布密集且大小均匀,制备成多晶黑硅后,对波长为600～1000nm光的反射率低至20％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟毅		86	431	11.0	16.0
2	毛志平		119	834	16.0	23.0
3	张琳萍		49	299	11.0	16.0
4	徐红		58	252	9.0	13.0
5	王碧佳		17	33	4.0	5.0
6	隋晓锋		16	16	3.0	3.0
7	周存胜		1	0	0.0	0.0