Si3N4/FePd/Si3N4薄膜的晶体结构和磁性能研究

• 作者: 刘涛 周鑫 王岛 董培林 郭永斌 马垒
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si3N4/FePd/Si3N4 FePd薄膜 晶体结构 磁性能
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 909-913
• 页数: 5页
• 分类号: TM27
• 字数: 2489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20170520

摘要

采用磁控溅射的方法制备了Si3N4/FePd/Si3N4三层膜,研究了非磁性材料Si3N4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响.结果表明,热处理后Si3N4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si3N4/FePd/Si3N4薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si3N4层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si3N4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 kA/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si3N4的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力.Si3N4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马垒	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	26	34	3.0	3.0
5	刘涛	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	36	169	8.0	12.0
6	周鑫	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	4	4	1.0	1.0
7	郭永斌	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	4	2	1.0	1.0
8	王岛	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	5	2	1.0	1.0
9	董培林	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0