Sc修饰Si@Al12团簇吸附CO的第一性原理研究

• 作者: 吴波 李平 杨秀德 杨金富 高钦翔 黄海深
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 电子性质 吸附能
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 团簇与纳米结构
• 页码范围: 435-440
• 页数: 6页
• 分类号: O561
• 字数: 2579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2018.03.012

摘要

本文采用密度泛函理论的广义梯度近似,研究了Sc原子修饰的Si@Al12团簇与CO分子之间的相互作用.结果显示:Sc原子倾向于以穴位的形式吸附于Si@Al12团簇表面;Sc周围最多可以吸附7个完整CO分子,CO 的平均吸附能处于0.990～1.602 eV 之间; ScSi@Al12· 7CO 团簇中 CO 质量分数可达33.07％,有望作为CO气体过滤材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴波	遵义师范学院物理与电子科学学院	35	60	4.0	5.0
3	杨秀德	遵义师范学院物理与电子科学学院	29	49	4.0	5.0
5	高钦翔	遵义师范学院物理与电子科学学院	43	68	5.0	5.0
6	黄海深	遵义师范学院物理与电子科学学院	17	32	3.0	4.0
10	李平	遵义师范学院物理与电子科学学院	5	6	1.0	2.0
13	杨金富	遵义师范学院物理与电子科学学院	1	0	0.0	0.0