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摘要:
文中基于第三代半导体氮化镓器件抗辐照性能强的特点,设计了UHF波段星载固态功率放大器.对氮化镓器件进行了仿真设计,通过设计消除了器件的强不稳定性,将高频应用的氮化镓器件设计匹配至所需UHF波段,实现了在UHF波段的功率输出.测试结果显示,在UHF波段(f0±10 MHz)固态功率放大器的输出功率达到48 W(46.81dBm),功率增益68 dB,功率效率50%.
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文献信息
篇名 UHF波段GaN星载固放的设计
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 GaN器件 UHF波段 固态功率放大器 稳定性
年,卷(期) 2018,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 72-74,88
页数 4页 分类号 TN722
字数 2099字 语种 中文
DOI 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.07.019
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谷德露 中国电子科技集团公司第十三研究所 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaN器件
UHF波段
固态功率放大器
稳定性
研究起点
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期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
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