基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真

• 作者: 吴梦维 王振铎
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS技术 集成温度传感器 50 nm工艺 温度系数
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 页码范围: 86-88
• 页数: 3页
• 分类号: TN342
• 字数: 1717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.08.021

摘要

为提高温度传感器的测量精度,同时缩小其面积和功耗,文中设计了一种使用NPN晶体管进行温度测量的完全集成互补型金属氧化物半导体传感器.该传感器主要由偏置电路,运算放大器和热传感器电路组成.偏置电路为传感器提供偏置条件,其由启动电路和B乘法器电路组成.文中采用LTspice and Matlab进行电路设计,并在50 nm工艺下对传感器电路进行仿真,得到所设计的温度传感器在-30～ 125℃范围内,温度系数为5.9 mV/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴梦维	哈尔滨理工大学软件与微电子学院	1	3	1.0	1.0
2	王振铎	哈尔滨理工大学软件与微电子学院	1	3	1.0	1.0