并联IGBT芯片的等离子体抽取渡越时间振荡机理及其特性分析

• 作者: 唐新灵 崔翔 张朋 李金元 赵志斌
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 等离子体抽取渡越时间振荡 小信号模型 寄生电感
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 2354-2364
• 页数: 11页
• 分类号: TM12
• 字数: 6595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.161915

摘要

大功率 IGBT 器件内部通常由多个芯片并联实现大电流.并联 IGBT 芯片在关断的拖尾阶段存在高频等离子体抽取渡越时间(PETT)振荡,这种振荡会对环境、驱动电路产生严重的电磁干扰.针对空穴注入空间电荷区后引起的空间电荷效应,首次分析空间电荷区的小信号特性,研究IGBT芯片自激振荡产生的原因,揭示高频PETT振荡的机理.其次,研究并联IGBT芯片之间寄生电感与产生 PETT 振荡时集射极电压的相互关系,基于理论方法计算振荡电压范围以及振荡频率的特点.最后,搭建IGBT开关特性测试平台,对并联IGBT芯片的PETT振荡特性进行测试.实验结果表明,PETT振荡不是随机产生,振荡产生的时刻与集电极电流具有一定的相关性;并联 IGBT 芯片振荡电压的范围与理论计算范围相吻合;并联 IGBT 芯片振荡频率的范围也与理论计算范围相吻合.因此,实验结果验证了对PETT振荡特性分析的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金元		8	22	3.0	4.0
2	张朋		5	20	3.0	4.0