阻变存储器无源高密度交叉阵列研究进展

• 作者: 李晓燕 李颖弢 陈传兵 韩根亮 高晓平
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 阻变存储器 高密度 无源交叉阵列 交叉串扰
• 年，卷（期）: 2018,（28）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 2954-2966
• 页数: 13页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972018-00164

摘要

阻变存储器(resistive random access memory,RRAM)以其结构简单、操作速度快、可缩小性好、易三维(3D)集成、与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺兼容等优势成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一,但基于阻变存储器无源交叉阵列中的交叉串扰问题影响了其实现高密度存储的应用和发展.本文简单介绍了阻变存储器交叉阵列中的串扰现象,详细综述了避免无源交叉阵列串扰的1D1R(one diode one resistor)结构、1S1R(one selector one resistor)结构、背靠背(back toback)结构及具有自整流效应的1R(one resistor)结构.同时,对基于阻变存储器无源交叉阵列实现高密度存储的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高晓平		2	2	1.0	1.0
2	陈传兵		2	0	0.0	0.0
3	李晓燕		5	26	2.0	5.0
4	李颖弢		4	0	0.0	0.0
5	韩根亮		1	0	0.0	0.0