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摘要:
砷化镓双面抛光片的平整度不仅影响光刻过程中的对焦精度,而且双抛过程中的边缘过抛现象,即砷化镓晶片边缘去除速率增加,使得在后续应用过程中晶片边缘需去除2~3 mm,造成材料及生产成本的浪费.实验主要设计对抛光盘转速和内外齿圈转速影响双抛片表面平整度情况进行验证,结果显示抛光盘转速对抛光去除速率的影响较内外齿圈转速更为显著,而晶片的运动轨迹主要集中在抛光布中部的环状范围内,当抛光盘转速增加就造成抛光布中部的集中磨损,影响晶片的连续抛光稳定性,使晶片中心去除速率降低,而边缘过抛,增加双抛片的表面平整度.
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文献信息
篇名 抛光转速对砷化镓双面抛光片表面平整度的影响
来源期刊 天津科技 学科 工学
关键词 双面抛光 边缘过抛 全局平整度 局部平整度 抛光盘转速 内外齿圈转速
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 基础研究
研究方向 页码范围 44-46,50
页数 4页 分类号 TN305.2
字数 1829字 语种 中文
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1 李穆朗 中国电子科技集团公司第四十六研究所 4 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
双面抛光
边缘过抛
全局平整度
局部平整度
抛光盘转速
内外齿圈转速
研究起点
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天津科技
月刊
1006-8945
12-1203/N
大16开
天津市河西区吴家窑大街22号
18-204
1992
chi
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