55nm金属沟槽通孔一体化刻蚀关键尺寸偏差与图形相关性研究

• 作者: 昂开渠 江旻 聂钰节
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 金属硬质掩膜 一体化刻蚀 关键尺寸偏差 透光率 沟槽长度
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.06.008

摘要

随着超大规模集成电路(VLSl)的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺.其中金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,即能解决传统工艺中所固有的低介电层顶部圆滑化,沟槽间的低介电层厚度变薄,又能解决侧壁角度变小等问题.但是金属阻挡层的引入以及金属沟槽和通孔同时刻蚀的进行,使得产生的聚合物更加复杂,金属互联沟槽关键尺寸受到影响更大.通过收集量产数据,对量产品的关键尺寸偏差和产品图形属性相关性进行分析,得到了刻蚀后关键尺寸和沟槽长度正相关性的创新性结论,可以帮助我们有效地预判新产品的关键尺寸大小,从而提前做出对应调整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	聂钰节		3	0	0.0	0.0
2	江旻		2	0	0.0	0.0
3	昂开渠		2	0	0.0	0.0