入射激光功率对硅纳米线拉曼光谱及荧光光谱的影响

• 作者: 冯国英 张秋慧 郭壮志
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米线 拉曼光谱 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 1118-1121
• 页数: 4页
• 分类号: O437
• 字数: 2779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2018)04-1118-04

摘要

一维纳米材料硅纳米线是目前重要的光电材料之一,采用化学气相沉积法制备了硅纳米线,实验研究了不同功率532 nm激光激发下的拉曼光谱和荧光光谱,随着入射激光功率的增加,一阶拉曼光谱出现红移和非对称加宽,而且红移同入射激光功率成正比,光致荧光光谱出现蓝移和双峰结构.使用声子限域效应、应变效应和激光非均匀加热效应对实验结果进行了分析,并采用matlab模拟了入射激光功率同拉曼频移的理论关系曲线,结果表明激光非均匀加热效应是引起拉曼光谱和光致荧光光谱变化的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯国英	四川大学电子信息学院	206	899	13.0	20.0
2	张秋慧	河南工程学院电气信息工程学院	18	35	4.0	5.0
3	郭壮志	河南工程学院电气信息工程学院	14	41	3.0	6.0