英飞凌：从JFET到MOSFET,CoolSiCTM每一步都是认真的!

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET JFET 功率半导体 利用能源 可持续发展 资源变化 全球气候 IGBT
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 13-14
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

如何更高效更智能地利用能源,以应对全球气候与资源变化实现可持续发展,功率半导体作为能源产业链的最上游责无旁贷地要提出一些解决方案。过去20年,以英飞凌为主的功率半导体厂家推出、发展一代又一代的Si基IGBT,推动了功率器件市场的可持续进步。然而在即将到来的未来,随着对能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求。